概述: 锐骏N沟道增强型功率MOSFET——RU207C,采用高密度单元设计,漏源电压最大额定值为20V,连续漏极电流最大额定值为6A(TA=25℃),具有低导通电阻特性,可靠、坚固,可用于电源管理应用。
产品特点: 20V/6A RDS(ON)=10mΩ(典型值)@VGS=4.5V RDS(ON)=15mΩ(典型值)@VGS=2.5V 低导通电阻 高密度单元设计 可靠、坚固 无铅、绿色环保器件,满足RoHS标准 使用SOT23-3封装
应用: 电源管理
更多型号: RU207C S0T23-3L 21+ RU30J30M QFN5*6 21+ RU20P7C S0T23 21+ RU30D20M3 DFN33*33 21+ RU1HE12L T0-252 21+ RUH4040M2 PDFN3333 21+ RU3030M2 PDFN3333 21+ RU1H35R T0-220 21+ RU30L30M3 DFN33*33 21+ RU30L15H SOP8 21+ RI40120M QFN5*6 21+ RU3040M3 DFN33*33 21+ ,,,,,,,,,,,,,,,,,
深圳市芯美力科技有限公司 锐骏代理 全系列MOS管,可提供样品支持、技术支持,如有需要,欢迎联系咨询 杨生 13250262776 【同微】 QQ 3400632246
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