[GaNFET]IGO60R070D1AUMA1、IGOT60R070D1AUMA1、IGT60R070D1ATMA4场效应管 600V

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深圳市明佳达电子、星际金华（供求）[GaNFET]IGO60R070D1AUMA1、IGOT60R070D1AUMA1、IGT60R070D1ATMA4场效应管 600V电压，如有兴趣，请联系陈先生qq： 1668527835 详谈。

1、IGO60R070D1AUMA1 GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-DSO-20-85
封装/外壳：20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
基本产品编号：IGO60R070


2、IGOT60R070D1AUMA1 GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-DSO-20-87
封装/外壳：20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
基本产品编号：IGOT60



3、IGT60R070D1ATMA4 GANFET N-CH 31A PG-HSOF-8-3
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）：-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-3
封装/外壳：8-PowerSFN


产品简介
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。CoolGaN™ 600 V适用于电信， 数据通信和服务器SMPS以及无线充电， 充电器和适配器等。 它是市场上最坚固可靠的解决方案。 CoolGaN™产品系列以高性能SMD封装为基础， 充分发挥了GaN的优势。