找回密码
 立即注册

使用微信账号登录

只需一步,快速开始

查看: 48|回复: 0

[供应] 器件[供求]:NCP1568G04DBR2G,NTH4LN040N65S3H,NTP011N15MC,NDSH25170A

[复制链接]
连续签到天数:2天
签到总天数:85天
签到总奖励:545金币
发表于 5 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册  

×
深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件!
【IC器件】NCP1568G04DBR2G【PWM 控制器】,NTH4LN040N65S3H【MOSFET 晶体管】NTP011N15MC,NDSH25170A【二极管】(供应,回收)
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!

NCP1568G04DBR2G:AC-DC 有源钳位反激式 PWM 控制器 IC
型号:NCP1568G04DBR2G
封装:TSOP-16
类型:PWM 控制器 IC
一、描述:
NCP1568G04DBR2G 是一款高度集成的交流-直流 PWM 控制器,专为实现有源钳位反激式拓扑而设计。它具有一个高压启动电路、一个强低压侧驱动器和一个用于有源箝位 FET 的 5V 逻辑电平驱动器。
二、产品属性:
输出隔离:隔离
内部开关:是
拓扑:反激
电压 - 启动:15.2 V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):10V ~ 27V
占空比:79%
频率 - 开关:100kHz ~ 1MHz
故障保护:限流,超功率,超温,过压,短路
控制特性:频率控制,软启动
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽),14 引线
供应商器件封装:16-TSSOP
安装类型:表面贴装型

NTH4LN040N65S3H:650V N 沟道、SUPERFET III、功率 MOSFET 晶体管
型号:NTH4LN040N65S3H
封装:TO-247-4
类型:MOSFET 晶体管
一、描述:
NTH4LN040N65S3H 是高压超级结 (SJ) MOSFET 晶体管。它采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。
二、主要特性:
700 V @ TJ= 150°C
典型值 RDS(on)= 32 m
超低栅极电荷(典型值 Qg= 132 nC)
低有效输出电容(Typ. Coss(eff.)= 1267 pF)
100% 通过雪崩测试
三、产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 6.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):132 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6513 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):379W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔

NTP011N15MC:150V N-通道 MOSFET 晶体管
型号:NTP011N15MC
封装:TO-220-3
类型:MOSFET 晶体管
一、描述:
NTP011N15MC 是150V N-通道屏蔽栅极功率沟槽 MOSFET 晶体管。
二、主要特性:
屏蔽栅 MOSFET 技术
在 VGS = 10 V、ID = 41 A 时,最大 RDS(on) = 10.9 m
Qrr 比其他 MOSFET 供应商低 50
降低开关噪声/EMI
100% 通过 UIL 测试
三、产品属性:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A(Ta),74.3A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10.9 毫欧 @ 41A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 223µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):37 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2810 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):2.4W(Ta),136.4W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔

NDSH25170A:1700V、25A 碳化硅(SiC)肖特基二极管
型号:NDSH25170A
封装:TO-247-2
类型:碳化硅(SiC)肖特基二极管
一、描述:
NDSH25170A 是1700V、25A 碳化硅(SiC)肖特基二极管,该器件采用全新技术,与硅相比,开关性能更优越,可靠性更高。
二、产品特征:
最高结温 175°C
雪崩额定值 506 mJ
高浪涌电流容量
正温度系数
易于并联
无反向恢复/无正向恢复

楼主热帖
积分商城 - 让您的金币更有价值!||官方Q群 - 让您的沟通更加及时!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册  

本版积分规则

小黑屋|手机版|我爱蓝牙网 - 52Bluetooth

GMT+8, 2024-6-16 19:02 , Processed in 0.174848 second(s), 12 queries , Gzip On, MemCached On.

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2024 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表