IRFP4110PBF【MOSFET 晶体管】、UJ4SC075011B7S【SiC FET 晶体管】UJ4SC075018B7S

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一、IRFP4110PBF：采用 TO-247 封装的 100V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管
1、描述：
IRFP4110PBF 是一款100V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管。该器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器在内的广泛应用。
2、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9620 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：370W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

二、UJ4SC075011B7S：750V、11mOhm SiC FET 晶体管
1、描述：
UJ4SC075011B7S 是一款 750V、11mOhm G4 SiC FET 晶体管。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。
2、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）：750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.2 毫欧 @ 60A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：75 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3245 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：357W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：D2PAK-7，TO-263-8
3、产品特征：
导通电阻 RDS（on）： 11mW （典型值）
工作温度 175°C（最高）
出色的反向恢复能力： Qrr = 274nC
低体二极管 VFSD：1.1V
低栅极电荷： QG = 75nC
阈值电压 VG(th)： 4.5V（典型值），允许 0 至 15V 驱动电压
ESD 保护，HBM 等级 2
D2PAK-7L 封装，开关速度更快，栅极波形更清晰

三、UJ4SC075018B7S：750V、18mOhm SiC FET 晶体管
1、描述：
UJ4SC075018B7S 是一款 750V、18mOhm G4 SiC FET 晶体管。它采用独特的 "级联 "电路配置，将一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常闭 SiC FET 器件。
2、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）：750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 50A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：37.8 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1414 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：259W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：D2PAK-7，TO-263-8
3、产品特征：
导通电阻 RDS（on）： 18mW （典型值）
工作温度 175°C（最高）
出色的反向恢复能力： Qrr = 125nC
低体二极管 VFSD：1.14V
低栅极电荷： QG = 37.8nC
阈值电压 VG(th)： 4.8V（典型值），允许 0 至 15V 驱动电压

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