NAND 闪存存储器：AS9F32G08SA-25BIN（AS9F34G08SA-25BIN）AS9F38G08SA-25BIN

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
（供求）NAND 闪存存储器：AS9F32G08SA-25BIN（AS9F34G08SA-25BIN）AS9F38G08SA-25BIN。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

AS9F32G08SA-25BIN：2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并联 NAND 闪存存储器
型号：AS9F32G08SA-25BIN
封装：FBGA-63
类型：NAND 闪存存储器
AS9F32G08SA-25BIN - 产品属性：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NAND（SLC）
存储容量：4Gb
存储器组织：512M x 8
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：25ns，700µs
访问时间：20 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：63-VFBGA
供应商器件封装：63-FBGA（9x11）

AS9F34G08SA-25BIN：4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并联 NAND 闪存存储器
型号：AS9F34G08SA-25BIN
封装：FBGA-63
类型：NAND 闪存存储器
AS9F34G08SA-25BIN - 主要规格和优势：
3.3V VCC
密度从 1Gb 到 8Gb
快速块擦除时间典型值低至 3 毫秒
符合 ONFI 1.0 规范
x8 I/O 接口
可划分为独立的可擦除块
- 允许保留有效数据，同时擦除旧数据
采用 9.0 mm x 11.0 mm x 1.0 mm 63-FBGA 封装
可在工业（-40°C 至 +85°C）和汽车（-40°C 至 +105°C）温度范围内使用

AS9F38G08SA-25BIN：8Gbit（DDP），x8 位，3.3V SLC 并联 NAND 闪存存储器
型号：AS9F38G08SA-25BIN
封装：FBGA-63
类型：NAND 闪存存储器
描述：AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并联 NAND 闪存存储器，采用 3.3V Vcc 电源供电，具有 x8 I/O 接口。
AS9F38G08SA-25BIN - 产品规格：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NAND（SLC）
存储容量：4Gb
存储器组织：512M x 8
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：25ns，700µs
访问时间：20 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：63-VFBGA
供应商器件封装：63-FBGA（9x11）