nRF54L15为什么比nRF52系列功耗更低？

TedLee

一、硬件层面：芯片级低功耗设计
先进工艺与低漏电元件
采用 22nm 工艺节点，相比前代 nRF52 系列的 55nm 工艺，晶体管尺寸更小，漏电流（静态功耗的主要来源）显著降低。同时，专门设计的低漏电 SRAM 可在休眠时减少电荷流失，降低维持数据所需的功耗。
高效模拟与时钟模块
集成的超低功耗振荡器启动时间极短（微秒级），意味着从休眠唤醒时，无需长时间等待时钟稳定，减少了过渡阶段的无效能耗。全局 RTC 可在最深休眠模式（System OFF）下运行，仅消耗微安级电流，同时精准计时，确保设备按需唤醒，避免不必要的启动。
射频前端优化
射频模块的启动与切换速度更快，可缩短通信时的活跃时间（例如从休眠到接收 / 发射状态的切换时间减少）。同时，射频电路的功耗本身经过优化，接收（RX）和发射（TX）时的电流相比 nRF52840 降低约 30%，直接减少通信阶段的能耗。

如下是MCU功耗对比数据



如下是RADIO功耗




如下是休眠功耗


如下是BLE协议和MATTER功耗


这些低功耗蓝牙场景表明，与 nRF52840 相比，nRF54L 系列的平均电流消耗大约减少了一半。无线电使用得越多，改进就越大