购买[512Mb]MX25U51245GZ4I00 CY62146EV30LL-45ZSXIT[4MBit]存储器 IC

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MX25U51245GZ4I00 存储器IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
主要特征
• 永久4字节地址模式
• 四路I/O模式永久启用
• 默认10个虚拟周期
• 支持DTR（双传输速率）模式
• 8/16/32/64字节环绕读取模式

MX25U51245GZ4I00 是一种512Mb位串行NOR闪存，采用4字节地址接口，内部配置为67,108,864 x 8。当处于双I/O或四I/O模式时，其结构变为268,435,456位x 2或134,217,728位x 4。MX25U51245GZ4I00 具有串行外设接口和软件协议，允许在单一I/O模式下通过简单的3线总线操作。三个总线信号为时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过CS#输入启用对设备的串行访问。

规格参数
产品型号：MX25U51245GZ4I00
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mb
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI，DTR
时钟频率：166 MHz
写周期时间 - 字，页：60µs，750µs
电压 - 供电：1.65V ~ 2V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-WSON（8x6）

应用场景
MX25U51245GZ4I00存储器适用于工业控制、车载系统、消费电子等需要高可靠性存储的场景，可存储程序代码或用户数据。

如需购买[512Mb]MX25U51245GZ4I00 CY62146EV30LL-45ZSXIT[4MBit]存储器 IC，可咨询明佳达电子。
CY62146EV30LL-45ZSXIT是一款静态随机存取存储器（SRAM），具有以下参数：
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
技术：SRAM - 异步
存储容量：4Mb
存储器组织：256K x 16
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：45ns
访问时间：45 ns
电压 - 供电：2.2V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：44-TSOP

概述
CY62146EV30LL-45ZSXIT异步 SRAM 因其高可靠性和长期支持而被用作汽车和工业应用中的扩展存储器。Micropower 异步 SRAM 用于一系列应用中的电池供电和辅助的解决方案 (BBSRAM) 中的数据记录。

应用场景
CY62146EV30LL-45ZSXIT芯片适用于工业控制、仪器仪表等对温度稳定性要求较高的场景。