NTLUS3A18PZTBG电子元器件，半导体芯片

zhaomjd88

NTLUS3A18PZTBG电子元器件，半导体芯片，公司目前有大量现货，货源百分百正品，要的请和明佳达电子咨询。
产品规格：

FET 类型	P 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	18 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	28nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2240pF @ 15V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	6-UDFN（2x2）
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘

实单价格可商谈，期待您的留言。