IMW120R007M1H（IMW120R007M1HXKSA1）沟槽型碳化硅MOSFET单管

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IMW120R007M1H（IMW120R007M1HXKSA1） 【供应/求购】
封装：TO247-3
类型：采用TO247-3封装的1200V 7mΩ CoolSiC™ 沟槽型碳化硅MOSFET单管
深圳市明佳达电子，星际金华公司，长期供应及回收器件：IMW120R007M1H（IMW120R007M1HXKSA1）。
【供应】公司只做原装，库存器件，质量保证，价格方面由于浮动不一，请以当天报价为准！
【求购】公司只需原装器件，须有原厂外包装标签，不接受翻新和散新，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！


描述：
IMW120R007M1H（IMW120R007M1HXKSA1） 采用TO247-3封装的1200V 7mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。


特征：
出类拔萃的开关损耗和导通损耗
高阈值电压，Vth > 4 V
0V关断栅极电压，实现简单的栅极驱动
宽栅源电压范围
坚固的低损耗体二极管，适用于硬开关
关断损耗受温度影响小
.XT扩散焊技术，可实现一流的热性能


优势：
最高效率
减少冷却工作
更高频率的运行
增加功率密度
降低系统的复杂程度


【供应/求购】明佳达电子 www.hkmjd.com
IMW120R007M1H（IMW120R007M1HXKSA1）沟槽型碳化硅MOSFET单管
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