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中微半导体与国内知名FAB合作开发的600V-1350V IGBT产品系列，广泛应用于电机和消费类领域。在正向和阻断状态下，我们的IGBT功率损耗极低，仅需低驱动功率便可发挥高效率。
中微半导体IGBT产品具备国际领先的单芯片集成RC技术，更大的安全工作区（SOA），更强的抗冲击能力，更足额的耐压余量，极低的开关损耗，1000H HTGB/HTRB可靠性测试。产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机等新能源应用。IGBT产品系列击穿电压有足够的冗余，各种参数一致性高，短路电流能力出色。
CMS007G060DP3C 主要参数： 集电极-发射极电压VCE: 600V 集电极电流： 7A 饱和压降VCE SAT: 1.5V 封装： TO-252
产品特性:
沟槽栅场截止工艺技术
低饱和压降和高开关速度
饱和压降呈正温度特性
10us短路能力并联封装快恢复二极管
无铅引脚符合ROHS要求 应用领域:
冰箱， 油烟机
小功率风机, 水泵
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发表于 2023-1-11 18:31:39
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