栅极驱动器：2ED2184S06F，1ED44176N01F，1EBN1001AE（供求）

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2ED2184S06F：半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.1V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，2.5A
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：675 V
上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC


1ED44176N01F：低端 栅极驱动器 IC CMOS，TTL 8-SOIC
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT
电压 - 供电：12.7V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，1.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：800mA，1.75A
输入类型：CMOS，TTL
上升/下降时间（典型值）：50ns，25ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC


1EBN1001AE：高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC PG-DSO-14-43
驱动配置：高压侧或低压侧
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：13V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：1.5V，3.5V
高压侧电压 - 最大值（自举）：1200 V
上升/下降时间（典型值）：50ns，90ns
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：14-SOIC


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供求器件：2ED2184S06F，1ED44176N01F，1EBN1001AE（栅极驱动器）
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【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！