[IGBT晶体管] IKW75N60TFKSA1，IKD06N60RFATMA1，IKW50N65EH5（供应，求购）

mingjiada

IKW75N60TFKSA1：IGBT晶体管 沟槽型场截止 600V 80A 428W 通孔 PG-TO247-3-1
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A
功率 - 最大值：428 W
开关能量：4.5mJ
输入类型：标准
栅极电荷：470 nC
25°C 时 Td（开/关）值：33ns/330ns
反向恢复时间 (trr)：121 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3-1


IKD06N60RFATMA1：IGBT晶体管 沟槽型场截止 600V 12A 100W 表面贴装型 PG-TO252-3
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：12A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：18A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，6A
功率 - 最大值：100W
开关能量：90µJ（开），90µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：48nC
25°C 时 Td（开/关）值：7ns/106ns
反向恢复时间 (trr)：48ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3


IKW50N65EH5：IGBT晶体管 沟道 650V 80A 275W 通孔 PG-TO247-3
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值：275W
开关能量：1.5mJ（开），500µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：120nC
25°C 时 Td（开/关）值：25ns/172ns
测试条件：400V，50A，12 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：81 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3


深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
[IGBT晶体管] IKW75N60TFKSA1，IKD06N60RFATMA1，IKW50N65EH5（供应，求购）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
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