[元器件] NVMFD5C466NT1G，TPSM828214SILR，ADS1293CISQE（供求）

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明佳达电子，星际金华（供应）（回收）NVMFD5C466NT1G 晶体管，TPSM828214SILR 电源模块，ADS1293CISQE 模拟前端。


NVMFD5C466NT1G：40V双N通道功率 MOSFET 晶体管
型号：NVMFD5C466NT1G
封装：8-PowerTDFN
类型：N通道晶体管
产品属性：
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）：40V
功率 - 最大值：3W（Ta），38W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）


TPSM828214SILR：1A 集成电感器的高效降压转换器 MicroSiP™ 电源模块
型号：TPSM828214SILR
封装：10-TFDFN 模块
类型：非隔离 PoL 模块 直流转换器
产品特征：
1.1 毫米外形 MicroSiP™ 电源模块
符合 CISPR 11 B 级标准
效率高达 95
2.4V 至 5.5V 输入电压范围
0.6V 至 4V 可调输出电压
4μA 工作静态电流
DCS 控制拓扑结构
提供省电模式选项，以提高轻负载效率


ADS1293CISQE：用于生物电位测量的低功耗、3 通道、24 位模拟前端
型号：ADS1293CISQE
封装：WQFN-28
类型：模拟前端（AFE）
产品特征：
三个高分辨率数字心电图通道，带同步步调输出
EMI 加硬输入
低功耗：0.3 mW/通道
输入推导噪声：7 µVpp（40 赫兹带宽）
输入偏置电流：175 pA
数据速率 高达 25.6 ksps
差分输入电压范围：±400 mV
模拟电源电压：2.7 V 至 5.5 V
数字 I/O 电源电压：1.65 V 至 3.6 V


深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
[元器件] NVMFD5C466NT1G，TPSM828214SILR，ADS1293CISQE（供应，求购）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
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