[IGBT]功率晶体管IKW40N65ES5、IKW25N120CS7采用TO247封装

zhaomjd88

1、IKW40N65ES5  IGBT 沟道 650 V 79 A 230 W 通孔 PG-TO247-3
采用 TO247 封装的英飞凌 650 V，40 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT 适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用，可实现高效率和更快的产品上市周期，降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。
特征描述
在 25°C 下， VCEsat 低至 1.35 V，比 TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20%
Ic 脉冲电流的 4 倍 (100°C Tc)
软电流下降特性，无尾电流
对称的，电压过冲
栅极电压受到控制（无振动）。没有不必要的设备导通风险，也不需要栅极箝位
最高结温 Tvj = 175°C
质量符合 JEDEC 标准

优势
不需要 VCEpeak 箝位电路
不需要栅极箝位元件
出色的 EMI 行为
非常适合并联

2、IKW25N120CS7 采用 TO-247 封装、带有反并联二极管的 1200 V/25 A IGBT7 S7。
1200 V/25 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管适用于硬开关，采用 TO-247 封装，带有EC7 二极管。该产品具备低 VCEsat，在目标应用中可实现极低导通损耗，同时，其中非常软的快速二极管有助于将开关损耗降至最低，从而降低总体损耗。
特征描述
极低 VCEsat
优秀的可控性
满电流续流二极管，软度提升
非常坚固，能抵抗恶劣条件且通过 HV-H3TRB试验
短路时间：8 us
参数分布偏差小
最高工作结温：175°C

优势
IGBT 损耗更低，系统效率更高，带来更高功率输出
功率密度提高，无需重新设计散热器
能够轻松便捷地替换前代 T2 产品系列
即使在恶劣的工作条件下，仍具有较高的器件可靠性
易设计，以轻松满足 EMI 要求

应用领域
不间断电源（UPS）
电机控制和驱动
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