ARG82801KLVATR电源管理，IKW75N60H3 [晶体管] SCTWA90N65G2V，FPGA IC EP4CE15F23C8N

mingjiada

深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
元器件：ARG82801KLVATR电源管理，IKW75N60H3 [晶体管] SCTWA90N65G2V，FPGA IC EP4CE15F23C8N（供求）
【供应，求购】原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！

一、ARG82801KLVATR：2.2MHz 电源管理IC TFSOP-38
型号：ARG82801KLVATR
封装：TFSOP-38
类型：电源管理（PMIC）稳压器 - 线性 + 开关
ARG82801KLVATR 是电源管理IC，集成了一个降压或降压/升压预调器、四个LDO和四个浮动门驱动器。
产品属性：
输出数：9
频率 - 开关：2.2MHz
电压/电流 - 输出 1：5.35V/1.2A
电压/电流 - 输出 2：3.3V，5V/350mA
电压/电流 - 输出 3：5V/115mA
电压 - 供电：3.8V ~ 36V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：38-TFSOP

二、IKW75N60H3：IGBT 沟槽型场截止 600V 80A 428W 通孔
型号：IKW75N60H3
封装：TO-247-3
类型：IGBT晶体管
IKW75N60H3 是高速600V IGBT 晶体管，带反并联二极管，TO-247 封装。
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A
功率 - 最大值：428 W
开关能量：3mJ（开），1.7mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：470 nC
25°C 时 Td（开/关）值：31ns/265ns
测试条件：400V，75A，5.2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：190 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

三、SCTWA90N65G2V：通孔 N通道晶体管 650V TO-247 长引线
型号：SCTWA90N65G2V
封装：TO-247-3
类型：碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管
SCTWA90N65G2V 是 650V 碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管，具有24mΩ（典型值）和119A（额定值）特性，该功率MOSFET采用HiP247封装。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247 长引线

四、EP4CE15F23C8N：Cyclone® IV E 现场可编程门阵列（FPGA）IC
型号：EP4CE15F23C8N
封装：FBGA-484
类型：嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列）
EP4CE15F23C8N 产品属性：
LAB/CLB 数：963
逻辑元件/单元数：15408
总 RAM 位数：516096
I/O 数：343
电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
安装类型：表面贴装型
工作温度：0°C ~ 85°C（TJ）
封装/外壳：484-BGA
供应商器件封装：484-FBGA（23x23）

明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：ARG82801KLVATR电源管理，IKW75N60H3 [晶体管] SCTWA90N65G2V，FPGA IC EP4CE15F23C8N，有意者欢迎随时联络我们！