1200V硬开关IKW40T120FKSA1、IKW40N120H3FKSA1、IKW40N120T2FKSA1 IGBT 单管

zhaomjd88

1、描述：硬开关1200V TRENCHSTOP™ 3 IGBT与续流二极管一起封装在TO-247封装中，由于结合了沟槽单元和场停止概念，可显著改善器件的静态和动态性能。
器件：IKW40T120FKSA1
IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
功率 - 最大值：270 W
开关能量：6.5mJ
输入类型：标准
栅极电荷：203 nC
25°C 时 Td（开/关）值：48ns/480ns
测试条件：600V，40A，15 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：240 ns
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3-1
基本产品编号：IKW40T120

2、描述：高速1200V、硬开关TRENCHSTOP™ 4 IGBT与续流二极管共同封装在TO-247封装中，提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。该系列的主要特点是类似MOSFET的关断开关行为，从而降低关断损耗。
器件：IKW40N120H3FKSA1
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值：483 W
开关能量：4.4mJ
输入类型：标准
栅极电荷：185 nC
25°C 时 Td（开/关）值：30ns/290ns
测试条件：600V，40A，12 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：355 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3-1
基本产品编号：IKW40N120

3、描述：IKW40N120T2 1200V 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT4，采用续流二极管在 TO247 中封装，由于结合了沟槽单元和场终止概念，显著提高了静态和动态性能。
器件：IKW40N120T2FKSA1
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，40A
功率 - 最大值：480 W
开关能量：5.25mJ
输入类型：标准
栅极电荷：192 nC
25°C 时 Td（开/关）值：33ns/314ns
测试条件：600V，40A，12 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：258 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3-1
基本产品编号：IKW40N120
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