供求IC：IKW25N120CS7（IGBT 晶体管）IKW40N65ES5，CY8C4147AZS-S475 微控制器

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明佳达电子，星际金华长期（供求）原装库存器件：IKW25N120CS7（IGBT 晶体管）IKW40N65ES5，CY8C4147AZS-S475 微控制器，有意者欢迎随时联络我们！

IKW25N120CS7：1200V 55A 250W 单 IGBT 晶体管
型号：IKW25N120CS7
封装：TO-247-3
类型：单 IGBT 晶体管
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：75 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，25A
功率 - 最大值：250 W
开关能量：1.2mJ（开），1.1mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：150 nC
25°C 时 Td（开/关）值：21ns/160ns
测试条件：600V，25A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：150 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

IKW40N65ES5：IGBT晶体管 650V 79A 230W 通孔
型号：IKW40N65ES5
封装：TO-247-3
类型：IGBT晶体管
产品属性：
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：79 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，40A
功率 - 最大值：230 W
开关能量：860µJ（开），400µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：95 nC
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/130ns
测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：73 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

CY8C4147AZS-S475：微控制器IC 32位 24MHz 64-TQFP
型号：CY8C4147AZS-S475
封装：TQFP-64
类型：32位微控制器IC
产品属性：
核心处理器：ARM® Cortex®-M0+
内核规格：32-位
速度：24MHz
I/O 数：54
程序存储容量：128KB（128K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 16，20x10/12b SAR
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：64-LQFP（10x10）

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【元器件】IKW25N120CS7（IGBT 晶体管）IKW40N65ES5，CY8C4147AZS-S475 微控制器（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！