IKZA75N65EH7XKSA1【晶体管】NTH4L045N065SC1 ，AD9364BBCZ【射频收发器】

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明佳达电子，星际金华长期（供求）原装库存器件：IKZA75N65EH7XKSA1【晶体管】NTH4L045N065SC1 ，AD9364BBCZ【射频收发器】，有意者欢迎随时联络我们！


一、IKZA75N65EH7XKSA1：IGBT晶体管 沟槽型场截止 650V 80A 338W
型号：IKZA75N65EH7XKSA1
封装：TO-247-4
类型：IGBT晶体管
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，75A
功率 - 最大值：338 W
开关能量：750µJ（导通），840µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：152 nC
25°C 时 Td（开/关）值：26ns/199ns
测试条件：400V，75A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：56 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4

二、NTH4L045N065SC1：通孔 650V 55A N通道晶体管
型号：NTH4L045N065SC1
封装：TO-247-4
类型：碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 25A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：105 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1870 pF @ 325 V
功率耗散（最大值）：187W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-4

三、AD9364BBCZ：射频捷变收发器
型号：AD9364BBCZ
封装：CSPBGA-144
类型：射频收发器
产品说明：AD9364BBCZ 是一款面向3G和4G基站应用的高性能、高集成度的射频(RF) Agile Transceiver™捷变收发器。该器件的可编程性和宽带能力使其成为多种收发器应用的理想选择。
产品特征：
集成12位DAC和ADC的RF 1 x 1收发器
频段：70 MHz至6.0 GHz
支持时分双工(TDD)和频分双工(FDD)操作
可调谐通道带宽(BW)：<200 kHz至56 MHz
3频接收器：3路差分或6路单端输入
出色的接收器灵敏度，噪声系数小于2.5 dB

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【元器件】IKZA75N65EH7XKSA1【晶体管】NTH4L045N065SC1 ，AD9364BBCZ【射频收发器】（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！