增强型、GS-065-004-1-L-MR / GS-065-030-6-LR-TR CoolGaN™功率晶体管

zhaomjd88

1、GS-065-004-1-L-MR 是一款采用 5×6 mm PDFN 封装的增强型硅基 GaN 功率晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或其他低功耗应用所需的理想功耗。


特征
增强型 HEMT – 常闭
超快开关
无反向恢复电荷
具有反向导通能力
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向强度
符合JEDEC标准（JESD47、JESD22）
底部冷却
零反向恢复损耗
源极检测焊盘可实现最佳栅极驱动
快速、可控的下降和上升时间
符合 RoHS 3(6+4) 标准

应用
电源适配器
LED照明驱动器
快速电池充电
功率因数校正
电器电机驱动
无线电力传输
工业电源


明佳达电子 星际金华 （供应/回收）增强型、GS-065-004-1-L-MR / GS-065-030-6-LR-TR CoolGaN™功率晶体管，如有需要欢迎联系陈先生qq 1668527835 洽谈。


2、GS-065-030-6-LR-TR 是一款700V 增强型硅基 GaN 功率晶体管，具有高电流、高击穿电压和高开关频率的特性。它采用底部冷却PDFN封装，结壳热阻极低，非常适合要求苛刻的高功率应用。这些特性的结合确保了电源开关的高效率。

特征
700 V e-mode 功率晶体管
850 V瞬态漏极至源极电压
底部冷却封装
RDS（on）= 40mΩ
DC = 40A/脉冲= 67A
超低FOM
栅极驱动要求（0 V至6 V）
高开关频率 (> 1 MHz)
快速、可控的下降和上升时间
反向传导能力
零反向恢复损耗