【MOSFET 晶体管】IMW65R050M2H / IMW65R015M2H，BSC110N15NS5SC（供应及回收）

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明佳达电子（星际金华）长期供应及回收原装库存器件：【MOSFET 晶体管】IMW65R050M2H / IMW65R015M2H，BSC110N15NS5SC，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！

IMW65R050M2H / IMW65R015M2H：采用 TO-247-3 封装的 650V CoolSiC™ MOSFET 晶体管
型号：IMW65R050M2H / IMW65R015M2H
封装：TO-247-3
类型：MOSFET 晶体管
主要特征：
优异的性能指标 (FOM)
同类最佳 RDS(on)
高坚固性和整体质量
灵活的驱动电压范围
支持单极驱动（VGSoff=0）
最佳的抗导通效应
利用 .XT 改进封装互连

BSC110N15NS5SC：150V 功率 MOSFET 晶体管
描述：BSC110N15NS5SC 是150V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管，采用 SuperSO8 DSC 封装，具有双侧冷却功能，可提高散热性能。
型号：BSC110N15NS5SC
封装：PG-WSON-8
类型：MOSFET 晶体管
BSC110N15NS5SC - 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 91µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2770 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：【MOSFET 晶体管】IMW65R050M2H / IMW65R015M2H，BSC110N15NS5SC。
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