AUIRF8739L2TR(场效应管)MOSFET N-CH 40V 57A

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AUIRF8739L2TR(场效应管)MOSFET N-CH 40V 57A
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：57A（Ta），545A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.6 毫欧 @ 195A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：562 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17890 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），340W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：DirectFET 等距 L8
基本产品编号：AUIRF8739
(介绍)AUIRF8739L2TR 20V至40V N通道汽车用MOSFET符合汽车应用类AEC-Q101标准，有多种封装可供选择，包括D-PAK、TOLL (HSOF-8)、TOLG (HSOG-8) 以及SSO8 (TDSON-8)。这些MOSFET的应用非常广泛，包括EPS电机控制、3相和H桥电机、HVAC风扇控制，以及与PWM控制相结合的电动泵。
特征
先进的工艺技术
针对汽车电机驱动、DC-DC 和其他重负载应用进行了优化 占用空间极小且外形扁平
高功率密度
低寄生参数
双面冷却
175°C 工作温度
允许重复雪崩高达 Tjmax
无铅、符合 RoHS 标准且无卤素
汽车合格
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深圳市明佳达电子有限公司/深圳市星际金华实业有限公司
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大圣

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