IMBG65R039M1H 大功率应用MOSFET PG-TO263-7

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参数：IMBG65R039M1HXTMA1（IMBG65R039M1H）
电压：650 V
电流：54 A
工作温度：-55 °C ~ 175 °C
功率： 211 W
极性：N
应用：工业
RDS (on) (@ Tj = 25°C) 39 mΩ


产品信息
IMBG65R039M1H CoolSiC MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。
特征
低 Qrr 和 Qoss
低开关损耗
换向稳健型快速体二极管
先进沟槽技术带来出色的栅极氧化物可靠性
采用 .XT 互连技术，实现卓越的热性能
雪崩能力更强
SMD 封装，可直接集成至 PCB
用于优化开关性能的感测引脚

英飞凌优势型号：
IGI60F100A1LAUMA1
IGI60F100A1L
IGI60F1414A1L
IGI60F1414A1LAUMA1
IMBG120R220M1H
IMBG120R220M1HXTMA1
IMZA120R014M1H
IMZA120R014M1HXKSA1
IMBG65R039M1H
IMBG65R039M1HXTMA1
IMBG120R090M1H
IMBG120R090M1HXTMA1
IMW120R040M1H
IMW120R040M1HXKSA1
IMW120R007M1H
IMW120R007M1HXKSA1
IMZ120R140M1H
IMZ120R140M1HXKSA1
IMZA120R040M1H
IMZA120R040M1HXKSA1
IMW65R107M1H
IMW65R107M1HXKSA1
IMBF170R1K0M1
IMBF170R1K0M1XTMA1


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