NVMFS5C423NLWFAFT1G，NVMFS5C410NLWFAFT1G，NVMFS5C430NAFT1G（晶体管）

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NVMFS5C423NLWFAFT1G：表面贴装，可润湿侧翼 N通道 晶体管 40V 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线


NVMFS5C410NLWFAFT1G：表面贴装，可润湿侧翼 N通道 晶体管 40V
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Ta），330A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），167W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线


NVMFS5C430NAFT1G：40V、185A、1.7mΩ 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），106W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线


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元器件：NVMFS5C423NLWFAFT1G，NVMFS5C410NLWFAFT1G，NVMFS5C430NAFT1G（供求）
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