供求器件：IPB038N12N3G / RCX450N20 / SPA16N50C3【MOSFET晶体管】

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件：IPB038N12N3G / RCX450N20 / SPA16N50C3【MOSFET晶体管】。
【长期供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【长期回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

IPB038N12N3G：120V N通道功率MOSFET晶体管
型号：IPB038N12N3G
封装：TO-263-3
类型：MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13800 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-3
封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

RCX450N20：200V N通道功率MOSFET晶体管
型号：RCX450N20
封装：TO-220-3
类型：MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4200 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：2.23W（Ta），40W（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220FM
封装/外壳：TO-220-3

SPA16N50C3：560V N通道功率MOSFET晶体管
型号：SPA16N50C3
封装：TO-220-3
类型：MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：280 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 675µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：34W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3-31
封装/外壳：TO-220-3