DWP320N15完美替代IRFB4615/IRFB5615，150V33A低内阻N沟道MOS

上大科技肖生

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[url=https://www.eechina.com/data/attachment/album/202204/12/104616lnkqf7y17yq2lyt7.png]

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DWP320N15完美替代IRFB4615/IRFB5615数字音频MOSFET是专门为D类音频放大器应用而设计的。这种MOSFET利用最新的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。此外，还对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、THD和EMI。

[url=https://www.eechina.com/data/attachment/album/202204/12/104714huj1h0jdkk0huarr.png]

这种MOSFET的其他特点是175°C的工作结温度和重复雪崩能力。这些特点结合在一起，使这种MOSFET成为一种高效、坚固和可靠的设备，适用于ClassD音频放大器应用。