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[供应] STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220封装

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发表于 2023-1-17 16:18:40 | 显示全部楼层 |阅读模式


STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V

特点:低电压降(VcE(sat))低Cres/Cies比(无交叉传导磁化率),短路耐受时间为10 us,IGBT与超快自由旋转二极管合封。
应用:高频逆变器,电机驱动器。
说明:该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺,在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。


STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220封装
STGF19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,TO-220FP封装
STGB19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V,D2PAK封装


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